三星推LPDDR5内存芯片 采用10nm级工艺

来源:PChome电脑之家 作者:--- 时间:2018-07-18 10:06

三星 内存 LPDDR5

  三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。昨日消息,三星宣布成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级工艺。据悉,该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。其内存带宽最高可达6400Mbps(1.1V工作电压下),是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。与此同时,功耗比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术的加入。

  新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,三星称,5G和AI将是其主力服务的场景。三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。



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